近日，据天风证券研报指出，存储芯片新一轮涨价周期开启。受此前半导体下行周期的影响，存储芯片营收自2018年第三季度持续下滑，但进入2019年第三季度情况开始好转，DRAM与NAND 总产值均提升，存储价格在近期有触底回升的趋势。然而，在新冠肺炎的影响下，有业者认为，终端产品的需求可能会在2020年第一季度下跌，也就是说存储器的市场不容乐观。具体情况如何呢，我们不妨来探讨一下。受DRAM和NAND FLASH市场波动的影响，存储芯片巨头三星的2019年营收同比下滑29.1%。要知道，在过去的2019年，三星占全球NAND FLASH市场的40%左右，DRAM市场份额更是超过45%。同样受到内存市场价格下滑影响的则是全球排名第二的SK海力士和镁光科技，两家企业2019营收分别下滑38%和32.6%。据DRAMeXchange发布的数据显示，SK海力士和镁光科技市场份额为28.6%和19.9%。值得注意的是，铠侠（原东芝）存储器的营收同比增长3.1%，而他的主营业务为NAND FLASH。按照这样的情形来看，2019年NAND FLASH市场的表现要比DRAM好。据行业人士分析认为，NAND FLASH主要受SSD（固态硬盘）应用的强劲需求和5G智能手机、游戏主机的增长的推动，才能够在2019年第三季度出现触底反弹现象。也有业者认为，2019年上半年，NAND FLASH价格持续下跌，进而导致厂商减产，推动NAND FLASH在第三季度反弹。
另外，据国金证券研究所数据统计，从2019年第三季度NAND FLASH市场需求增大以来，NAND FLASH大厂库存月数已降低至4月以下。其中SSD（固态硬盘）的需求约占NAND FLASH市场的43%，智能手机的需求约占48%。在智能手机中，由于5G数据传输速率和传输量的增加，5G智能手机对于NANA FLASH的标配可能处于128-256G之间，而以往4G手机大部分处于64-128G，这部分需求量将在5G基站大规模建设完成、5G逐步普及阶段爆发，预计时间在2020年下半年。
与NAND FLASH相比，DRAM市场从2018年第四季度开始走空，延续到2019年价格一路下滑，直到2019年12月中下旬市场才开始出现反弹。微驱科技总经理吴金荣曾表示：“这波价格反弹，显示DRAM供过于求，已趋缓和。预估今年DRAM位元（bits）供给量较2019年成长18%，而位元需求量年成长19%，在供给没有大幅增加，需求稳定成长下，市场将可拨云见日。DRAM产业资本支出在2018年达到近年高点，约185亿美元，在不景气的冲击下，2019、2020年产业资本支出下修，分别约146亿、129亿美元，没有大幅资本支出，产能不会快速增加。”按照业者的反馈来看，DRAM在需求方面，最大的应用市场为智能手机，约占DRAM市场需求的35%；其次是伺服器，占总需求的28%左右。综合来看，由于5G基站没有彻底铺开，所以消费者在2019年下半年对于5G智能手机的需求并不是太大。另一方面，AI、物联网产业受技术及市场推广的限制，2019年表现也非常一般，所以伺服器的需求并没有增加太明显。“预计2020年下半年，DRAM市场可能会出现拐点，但依旧不太乐观。”有行业人士分析道。据国金证券预测，2020年全球DRAM产出同比将增加15%-17%，NAND FLASH产出同比将增加30%-35%，这应该是1-2个点低于2020年需求，所以DRAM会从2019年的5个点变为2020年的2个点，会出现供过于求的现象。而NAND FLASH会从2019年的1个点，转变为2020年的5个点，会出现供不应求的现象。此外，近日路透社曾预测，受新冠肺炎的影响，中国智能手机2020年第一季度销量预计下滑30%-50%。按照这个预测来看，对于存储行业的影响非常大。但由于存储器位元的增长，加上2020年下半年基站大规模建设完成，5G智能手机需求量增长，存储器市场将迎来一波爆发期，综合来看，疫情对于存储行业整体的影响并不是太大。NAND FLASH市场逐步回暖，对于国内存储器大厂而言，这是一次很好的机会。加之，中美贸易摩擦事件的推动，国产替代进程也在不断加快。2019年，长江存储64层3D NAND FLASH实现量产。按照之前的规划来看，2020年长江存储将至少有60k/m的投产量，月产能将有望达到10万片。有业者预测，2020年长江存储3D NAND FLASH 市场份额也有望达到2%。另一方面，三星、英特尔、SK海力士虽然已经有92/96层的产品生产量，但长江存储直攻128层，以缩减与国际存储大厂的差距。可以预测，2020年之后，在128层NAND FLASH市场上，长江存储将有望与国际存储大厂扳手腕。在DRAM领域，国内的合肥长鑫虽然在2019年借助先进的设备将奇梦达46nm工艺水平的内存芯片推进到了10nm级别，但是还未量产，目前量产的产品工艺是19nm。有业者认为，预计合肥长鑫1xDDR4的市场份额将有望在2020年达到0.5%。而三星10nm DRAM产品已经研发到第三代，前两代产品已经量产。综合来看，国内DRAM技术与国际领先水平相差大概两代，大约三年时间。据国金证券预测，国产存储器想要达到全球10%的市场份额，大概还需5年。
除此之外，兆易创新凭借苹果TWS Airpods无线耳机市场需求的大幅增加，抢占了低容量NOR FLASH市场；北京君正于2019年收购美国利基型DRAM/NAND/SARM设计大厂 ISSI，预计将受惠于国产替代。目前来看，国内NAND FLASH 设计公司有兆易创新、东芯半导体，代工厂有中芯国际、长江存储；NOR FLASH 企业有兆易创新、东芯半导体、XMC，代工厂有中芯国际、武汉新芯、华力微；DRAM企业有东芯半导体、紫光，代工厂为合肥长鑫。可以看到，在国内5G、智能手机、AI及物联网等市场需求的推动下，外加政策和政府大量资金的投入，为国内存储器产业发展提供了良好的平台，也是国内存储器企业走向国际的良好机遇。根据全球终端产品市场走向来看，未来3-5年，全球存储器产业朝国内迁移的趋势明显。
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